达尔科技申请半导体结构及其制造方法专利，提供半导体结构及其制造方法

狂爵 2024-11-02 了楞学堂 12 次浏览 0个评论

　　金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118825068 A，申请日期为2023年4月。

　　专利摘要显示，本发明实施例提供半导体结构及其制造方法。所述结构包括：衬底，具有彼此相对的第一表面以及第二表面，及相邻的单元区、端接区；第一电极结构，位于衬底且从第一表面往第二表面延伸，第一电极结构设置于单元区；第一沟槽结构，位于衬底且从第一表面往第二表面延伸，第一沟槽结构设置于单元区且邻接端接区，第一沟槽结构包括延伸至第一表面的半导体材料层；及电容结构，位于衬底的第一表面上、端接区中且邻接沟槽结构，其中电容结构具有与半导体材料层相同的材料，电容结构具有一个电容电极连接到半导体材料层。